hrs广濑连接器

　　Bourns推出第二代高间隙/爬电距离隔离电源变压器 HCT8xxxxEAL 系列。这些符合 AEC-Q200 标准的汽车级推挽高压隔离变压器提供高可靠性、紧凑型解决方案，可在工作电压高达 800 V 时提供加强绝缘，在工作电压高达 1000 V 时提供基本绝缘。通过提供单独的加强绝缘层来防护危险电压，HCT8xxxxEAL 系列说明设计师更好地实现安全性和可靠性目标，相比仅具备功能性绝缘的竞争性隔离变压器具有更大优势。
hrs广濑连接器　　从结构上看，该装置是一种静磁波滤波器，由薄膜 YIG 微加工而成的腔体构成，生长在钆镓石榴石基板上。注入和输出换能器为铝制。
为此，村田开发了“Type 2GT”模块，这是村田首款同时支持LoRaWAN和卫星通信的产品。本产品配备了率先支持LoRaWAN和卫星通信的Semtech公司芯片组“LoRa Connect LR1121”，可进行860MHz至930MHz及2.4GHz（ISM Band）且发射功率达到22dBm的远距离通信和卫星通信。 通过村田特有的无线设计技术、节省空间的安装技术和产品加工技术，实现了小型化和高性能化。此外，它还获得了欧洲、美国、加拿大和日本的标准，有助于实现IoT设备设计流程合理化并缩短终产品上市所需的时间。

　　得益于内部集成的微处理器，BI11-CK40和NI25-CK40产品显著提高了线性度和精度，由于内部具有温度补偿，所以其温度范围可达-25~+70℃。产品具有一个标准0~10V模拟量输出和一个附加的可配置参数的IO-Link接口，从而可提供的测量数据，并且也可用于预测性维护。
　　日前发布的新一代SiC二极管包括5 A至40 A器件，采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。
hrs广濑连接器　　SolidRun 已确认 Hailo-15 SOM 的核心变体：Hailo-15M SOM 使用低端版本的 Hailo-15 芯片，提供 11 TOPS 的计算能力，而 Hailo-15H SOM 则采用高端的 20 TOPS 版本。 两种型号均配备运行频率为 1.3GHz 的四核 Arm Cortex-A53 应用处理器、高达 8GB 的 LPDDR4 内存、8GB 至 256GB 的 eMMC 存储以及 32Mb QSPI 闪存模块。对于网络连接，有一个板载双频 802.11ac 和蓝牙 5.0 无线电以及千兆位以太网，以及用于外部硬件的 USB 3.1。
　　G3F GeneSiC MOSFETs 基于纳微专有的“沟槽辅助平面栅”技术研发，既拥有优于沟槽栅MOSFET的性能，还具备比竞争对手更强的鲁棒性、可制造性和成本效益。G3F MOSFETs 同时具备高效和高速的性能，可使器件的外壳温度降低高达25°C，比市场上其他厂商的碳化硅产品的寿命长3倍。
　　纳微GeneSiC碳化硅产品基于专有的“沟槽辅助平面栅”技术打造，可在运行温度范围内能提供了全球的效率性能，G3F MOSFETs具备高速、运行温升低的性能，相比市场上其他厂商的碳化硅产品，可使器件的外壳温度降低高达25°C并且寿命长3倍。

　　在全球不断扩大的汽车电动化浪潮中，将电动车整体作为一个系统进行合理化（而并非对电动车的组件进行逐一开发）已势在必行。而本工具的开发目的就在于，不仅要实现各个组件的数字孪生化，还要对电动车整体进行数字孪生化和合理化。
hrs广濑连接器　　该连接器系统中的多种型号适用于各种线对线应用场合的需求。例如，31+1位连接器系统结合了31个电源和接地电路以及高速数据电路，可将封装尺寸多减小30%。每个MX-DaSH连接器都集成了更多功能，简化了线束安装，节省了大量安装时间。组件数量的减少也为进一步简化BOM提供了更多的机会。
　　DELO-DOT PN5 LV 中的驱动器可运行 10 亿周期以上，达到的坚固性标准。液体柱塞由陶瓷和硬质合金等耐用材料组成。由于采用了两部分结构，用户可以在出现磨损时（使用寿命结束时）更换柱塞本身和喷嘴。插销栓无需任何工具即可轻松拆卸。液体系统的清洁也可以轻松完成。
　　基于Renesas V2H的IMDT产品系列为机器人、物联网和工业应用提供先进的功能和高性能解决方案。这些产品配备了基于Arm的强大CPU和Renesas专有的AI加速器，可支持高带宽通讯、机器学习和高画质图像处理等多种用途。