te端子

　　Bourns SRR5228A 和 SRR5828A 提供业界领先的电感和加热电流，感量高达 1000 μH，温升电流高达 5.2 A。这些电感器还提供 -40 °C 至 +150 °C 的宽工作温度范围。
te端子　　PSoCTM 4 HVPA-144K所基于的Arm Cortex-M0+ MCU工作频率高达48 MHz，具有128 KB的代码闪存、8 KB的数据闪存和8 KB的SRAM，且全部带有ECC。PSoCTM HVPA-144K还包含多种数字外设，如四个定时器/计数器/PWM和一个可配置为I2C/SPI/UART的串行通信块。
多功能新型30V n沟道TrenchFET第五代功率MOSFET—SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封装，10V栅极电压条件下导通电阻仅为0.71 mW，导通电阻与栅极电荷乘积，即开关应用中MOSFET关键的优值系数（FOM）为42 mW*nC，达到业内先进水平。

导通阻抗仅80mΩ。HL8518将业界的封装技术与希荻微自主研发的特殊工艺制程相结合，实现技术突破。通过引入业界的功率封装技术，大幅降低互连阻抗。希荻微在自主研发的特殊工艺制程基础上，基于多年工艺积累，实现技术突破。
　　ACQUITY QDa II质谱检测器的设计理念可以使其无缝集成到现行实验室工作流程中，并具有与LC检测器相似的用户体验和外形规格。它提升了20%的质量范围，是一款设计简洁小巧的LC-MS仪器，能无缝集成到受严格监管的实验室环境中，确保分析的合规性。
te端子车规级电容触控型CVM012x系列MCU正式上市（简称TMCU）。作为国产首颗可以实现HoD应用的真车规级单芯片解决方案，该系列产品继承了已经批量量产的曦华CVM01平台，集成了ARM Cortex-M0+内核、大容量的Flash存储器、SRAM存储器和丰富的外设资源。
　　SC538HGS作为基于BSI结构设计融合近红外增强技术的工业面阵全局快门CMOS图像传感器，真正实现了可见光与近红外光下的超高感度。SC538HGS在520nm可见光波段下的峰值量子效率高达92.3%，较市场同规格竞品提升约17.3%，并且，其在850nm与940nm近红外波段下的峰值量子效率分别较前代产品提升约17.5%与8.6%。整体感度的大幅提升，让SC538HGS能够轻松应对可见光与近红外光下的各种复杂光线挑战。
　　MULTI-BEAM XLE 连接器采用三束端子，与原始的单束或四束矩形电源连接器设计相比，采用了更厚（更高）的导电材料。三束设计允许配接连接器之间存在更大的角度偏差，且配接力更低。

它们利用相同的漂移区来阻断两个方向的电压，即便在重复短路的情况下也具备出色的性能，并且通过使用一个BDS代替四个传统晶体管，可提高效率、密度和可靠性，使应用能够从中受益并大幅节约成本。在替代单相H4 PFC、HERIC逆变器，和三相维也纳整流器中的背对背开关时，该系列器件能够优化性能，而且还可用于交流/直流或直流/交流拓扑结构中的单级交流电源转换等。
te端子　　IT6600系列的设计理念超越了传统直流电源的限制，带来了一种创新的宽范围输出解决方案。这款电源不仅在单一3U机架内实现了两个独立的21kW通道，能够独立控制和量测，使得单台设备就能够同时执行两项完全不同的测试任务。例如，通道1可用于逆变器测试，而通道2则专注于电池的性能评估。
　 可靠性验证：包括SI/PI测试、长稳测试、掉电专项测试、产品生命周期测试、环境气候测试、中长期测试、MTBF测试、UBER测试等内容，涵盖可靠性的多个方面，确保产品的高可靠；
　　兼容适配验证：覆盖业界主流厂家主流机型的40+种配置，验证内容包括软件及硬件的兼容性测试，可为业务提供稳定的存储支持。
　　针对电动汽车市场，纳微半导体基于1200V/34mΩ（型号：G3F34MT12K）的G3F FETs，打造了一款22kW、800V双向车载充电机（OBC）+ 3kW DC-DC转换器的应用，能够实现3.5kW/L的超高功率密度和95.5%的峰值效率。