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达到PMBusTM 标准的主动监测功能可以提高系统可靠性。严重过流（SOC）时，可编程栅极关断功能可在1 ?s内实现稳健的关断操作。先进的闭环SOA控制确保了更高的MOSFET可靠性，全数字工作模式更大程度地减少了对外部半导体元件的需求，提供了一个紧凑的解决方案，使其成为空间受限设计的上佳选择，具有极高的成本效益。
泰科电子中国官网　　PI3WVR14412Q 可供峰峰值(Peak-to-Peak) 1.2V 的高速差分信号通过，允许自 0V 至达 3.3V电源轨的共模电压。宽广的电压范围允许 DC 信号耦合，让设计者节省出原本 AC 耦合电容器所需的 PCB 面积。
首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET—SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）下降60 %，额定电流高于D2PAK封装器件，同时减小占位面积。

　　无论功率输出如何，新的集成作动电源解决方案都能保持相同的基底面。配套的栅极驱动板可与 Microchip 的 HPD 模块集成，为飞行控制、制动和起落架等系统的电气化提供一体化电机驱动解决方案。Microchip 的电源解决方案可根据终应用的要求进行扩展，从用于无人机的较小作动系统到用于电动垂直起降（eVTOL）飞机、MEA和全电动飞机的大功率作动系统。
　　日前发布的电容器DCL仅为0.005CV，与其他电容技术相比，钽电容器能量密度高，可提供更高能量确保正确起爆，是采矿和拆除应用远程引爆系统的理想选择，满足可靠放电的要求。该器件的钽阳极技术与Vishay业界出色的介质成型技术相结合，确保严苛环境下稳定的电气性能。
泰科电子中国官网　　“沟槽辅助平面栅”技术能使碳化硅MOSFETs的RDS(ON)受温度影响小，在整个运行范围内的功率损失降到。在高温的运行环境下中，搭载这一技术的碳化硅MOSFETs，与竞争对手相比，RDS(ON)降低高达20%。
　　“Tachyon 的封装与 Raspberry P 5i 兼容，其 40 针连接器与 Raspberry Pi HAT 兼容。显示器、摄像头和 PCIe 连接器也兼容，因此为 Raspberry Pi 5 设计的配件可以与 Tachyon 配合使用，”该公司表示。
　　Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出 13.5Gbps 高速视频开关 PI3WVR41310。针对新一代商用显示器、游戏显示器、扩展坞、视频矩阵开关与嵌入式产品应用，该产品可提高分辨率与刷新率。

　　另一方面，uSCM(Smart Connection Manager)专为自动通信管理而设计，目的是尽可能地提高性能或降低功耗，例如在通信连接断开后需要重建通信连接时。
泰科电子中国官网　　移远通信NCM8x5系列模组采用高通FastConnect 7800解决方案，且支持2 × 2 MIMO和双频并发(DBS) 技术，使PC终端能够同时接入2.4 GHz + 5 GHz和2.4 GHz + 6 GHz频段；其中，NCM865和NCM865A两款产品还采用高频并发(HBS)多连接技术，通过降低高频频谱内的干扰以达到增强无线通信的目的，这种改进将有助于更有效地使用带宽，从而减少信号延迟，增加数据吞吐量，以满足多行业对无线连接低延时、高吞吐的需求。
QFN16 封装是一款表面贴装技术（SMT）解决方案，与 TSSOP16 相比，其所占面积小得多，非常适合空间有限的应用场景。可润湿的侧板有助于保障焊接质量，并适用于汽车级场景。根据系统架构的不同，新传感器还可以支持故障后不影响操作的概念。
　　英飞凌抗辐射F-RAM存储器的目标应用包括传感器与仪器的数据存储、校准数据的数据记录、适用于数据加密的安全密钥存储，以及启动代码存储等。除外太空应用，这款存储器还适用于航空电子等应用的温度要求（-55°C 至 125°C）。