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　　美光与行业领先的厂商及客户合作，推动了这些高性能、大容量新模组在高吞吐量服务器 CPU 上的广泛应用。该款高速率内存模组特别针对数据中心常见的任务关键型应用，包括人工智能（AI）和机器学习（ML）、高性能计算（HPC）、内存数据库（IMDB）以及需要对多线程、多核通用计算工作负载进行高效处理的场景，满足它们的性能需求。美光 128GB DDR5 RDIMM 内存模组获得了强大的生态支持，包括 AMD、HPE、英特尔、Supermicro 等众多公司。
日本jstUSB 2.0 信号调节器产品 PI5USB212，可在供电电压低至 2.3V 的状态下工作。PI5USB212 设计用于笔记本电脑、个人计算机、扩充坞、延长线、电视及显示器，能自动检测 USB 2.0 高速传输。在 PCB 走线或数据线延长至 5 米时亦可保持信号完整性。
它们利用相同的漂移区来阻断两个方向的电压，即便在重复短路的情况下也具备出色的性能，并且通过使用一个BDS代替四个传统晶体管，可提高效率、密度和可靠性，使应用能够从中受益并大幅节约成本。在替代单相H4 PFC、HERIC逆变器，和三相维也纳整流器中的背对背开关时，该系列器件能够优化性能，而且还可用于交流/直流或直流/交流拓扑结构中的单级交流电源转换等。

型接近传感器—VCNL36828P，提高消费类电子应用的效率和性能。Vishay Semiconductors VCNL36828P采用垂直腔面发射激光器（VCSEL），在2.0 mm x 1.0 mm x 0.5 mm小型表面贴装封装中集成光电二极管、专用集成电路（ASIC）、16位 ADC和智能双I2C从机地址。
全新OPJ301x系列超低输入偏置电流高性能通用运算放大器。该系列产品以其超低偏置电流、卓越的直流精度和宽泛的工作电压范围，在医疗设备、手持精密测试设备以及自动化量产测试设备等高精度信号处理场景中展现出色性能，适用于多种高精度应用需求。
日本jst这些隔离器采用无芯变压器技术，支持高20倍的能量传输的同时，还具备了电流和温度保护功能，实现更高的可靠性和更低的成本。这款，与目前使用的传统的固态隔离器驱动SCR（硅控整流器）和可控硅的方案相比，新的固态隔离器可驱动英飞凌的OptiMOS?和CoolMOS?，其功耗降低多达70%。
该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和移相全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化。这些MOSFET适用于典型的工业应用（包括电动汽车充电、工业驱动器、太阳能和储能系统、固态断路器、UPS系统、服务器/数据中心、电信等）和汽车领域（包括车载充电器（OBC）、直流-直流转换器等）。
　　G3F产品系列针对高速开关性能进行了优化，与CCM TPPFC系统中的竞争对手相比，硬开关品质因数（FOMs）提高了40%。这将使下一代AI数据中心服务器电源（PSUs）的功率增加到10kW，每个机架的功率从30kW增加到100-120kW。

　　针对 AMD Ryzen Threadripper PRO 7000 系列： V-COLOR DDR5 OC R-DIMM 系列确保与 AMD Ryzen Threadripper PRO 7000 系列处理器精心设计，能提供卓越的兼容性和增强性能。
日本jst　　半导体制冷模块是一种能量转换装置,半导体晶体夹在铜基板之间,通电后,基板的一面吸热(冷却),另一面放热(加热)。这种装置能够使表面温度迅速变冷或变热,调节到特定温度或保持在设定的目标温度。
　　现有2款采用新型 P2 产品演示板可供展示：一款是 CGD 与法国公共研发机构 IFP Energies nouvelles 合作开发的单相变三相汽车逆变器演示板；另一款是3kW图腾柱功率因数校正演示板。
　　得益于思特威先进的SmartGS?-2 Plus技术与优异的像素结构设计，SC538HGS有着较高的满阱容量与图像信噪比，其信噪比高达42.17dB，优于市场同规格竞品。更高的信噪比能够帮助摄像头捕捉到细节更干净、清晰的图像，减少画面干扰，从而提升检测识别速度。